一、配置

鋁合金箱體，鋁塑板面板， 12V開關(guān)電源，110V開關(guān)電源，頻率可調(diào)高頻信號發(fā)生器，IGBT管，MOS管，普通三極管，電機(jī)，開關(guān)，交流接觸器，電源線，電壓表，電流表，頻率表，用電器，三極管MOS管插座，各種不同數(shù)值的保險(xiǎn)絲管，8格器件盒。

二、功能

1.IGBT高頻特性試驗(yàn)——通過高頻信號發(fā)生器，同時(shí)給IGBT管的柵極G和普通三極管的基極B加控制信號，發(fā)射極E接地，集電極C加一上拉電阻，用雙通道示波器同時(shí)觀測基極B和集電極C信號波形，從低到高逐步增大信號頻率，觀測輸入輸出波形什么時(shí)候開始有不同步現(xiàn)象，分別記錄下IGBT管和普通三極管或者M(jìn)OS管的不同步時(shí)的頻率數(shù)值。對于實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，可以得出結(jié)論：IGBT有高頻適應(yīng)特性。

2.IGBT大電流特性——通過給IGBT柵極B加一個小電流低電壓控制信號，控制IGBT管導(dǎo)通和切斷，發(fā)射極接地，集電極通過+12V電源和保險(xiǎn)絲連接一個電機(jī)，IGBT管導(dǎo)通，電機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)，IGBT管截止，電機(jī)停止運(yùn)轉(zhuǎn)。觀察此時(shí)流過電機(jī)的電流大小，做記錄。然后用同樣的方法和步驟，用普通三極管或者M(jìn)OS管替代IGBT管，觀察電機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)情況，同時(shí)記錄下電機(jī)停轉(zhuǎn)的電流值。比較不同管子的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)和電機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)情況，得出結(jié)論，IGBT有大電流適應(yīng)特性。

3.IGBT高電壓特性——給IGBT柵極G加一個小電流低電壓控制信號，控制IGBT管導(dǎo)通和切斷，發(fā)射極接地，集電極通過110V開關(guān)電源和保險(xiǎn)絲連接一個用電器，觀察用電器和IGBT管工作情況。用普通三極管或者M(jìn)OS管替代IGBT管，觀察用電器盒三極管情況，同時(shí)記錄下現(xiàn)象。比較不同管子的實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象和電機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)情況，得出結(jié)論，IGBT有高電壓適應(yīng)特性。

三、技術(shù)參數(shù)

1.箱體長×寬×高：435×325×200mm；

2.工作電壓：AC220V  DC12V  DC110V

3.重量：約5KG